通道数 1
漏源极电阻 140 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 985pF @15VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDS9412A | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道PowerTrench MOSFET的30V , 8A , 21mOhm N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8A, 21mOhm | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDS9412A 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SO N-Channel 30V 8A 140mohms | 当前型号 | N沟道PowerTrench MOSFET的30V , 8A , 21mOhm N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8A, 21mOhm | 当前型号 | |
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型号: IRF7201PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 7.3A | 功能相似 | INFINEON IRF7201PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 30 V, 30 mohm, 10 V, 1 V | FDS9412A和IRF7201PBF的区别 | |
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