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FDS9412A
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDS9412A中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 140 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 985pF @15VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS9412A引脚图与封装图
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在线购买FDS9412A
型号 制造商 描述 购买
FDS9412A Fairchild 飞兆/仙童 N沟道PowerTrench MOSFET的30V , 8A , 21mOhm N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8A, 21mOhm 搜索库存
替代型号FDS9412A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDS9412A

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SO N-Channel 30V 8A 140mohms

当前型号

N沟道PowerTrench MOSFET的30V , 8A , 21mOhm N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8A, 21mOhm

当前型号

型号: IRF7201TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 30V 7A

功能相似

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

FDS9412A和IRF7201TRPBF的区别

型号: IRF7201PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 30V 7.3A

功能相似

INFINEON  IRF7201PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 30 V, 30 mohm, 10 V, 1 V

FDS9412A和IRF7201PBF的区别

型号: FDS8884

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOIC N-Channel 30V 8.5A 635pF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8884  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 30 V, 19 mohm, 10 V, 1.7 V 新

FDS9412A和FDS8884的区别