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PBSS5350D,115、PBSS5350D,125、PBSS5350D,135对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS5350D,115 PBSS5350D,125 PBSS5350D,135

描述 PBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457TSOP PNP 50V 3APBSS5350D - 50 V,3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-74-6 SOT-457-6 SOT-457

引脚数 6 6 -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 600 mW 750 mW 750 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 3A 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @2A, 2V 100 @2A, 2V 100 @2A, 2V

额定功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

频率 100 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 200 @500mA, 2V - -

直流电流增益(hFE) 200 - -

封装 SC-74-6 SOT-457-6 SOT-457

高度 1 mm 1 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

香港进出口证 NLR - -