PBSS5350D,135
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS5350D,135中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 750 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V
额定功率Max 750 mW
耗散功率Max 750 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-457
外形尺寸
封装 SOT-457
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PBSS5350D,135引脚图与封装图
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在线购买PBSS5350D,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS5350D,135 | NXP 恩智浦 | PBSS5350D - 50 V，3 A PNP低VCEsat BISS晶体管 | 搜索库存 |
替代型号PBSS5350D,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS5350D,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-74 PNP 750mW | 当前型号 | PBSS5350D - 50 V，3 A PNP低VCEsat BISS晶体管 | 当前型号 |
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