FDB52N20TM、STB40NF20、STB30NF20对比区别

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型号 FDB52N20TM STB40NF20 STB30NF20

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB52N20TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS  STB40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STB30NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 3 2

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 52.0 A 40.0 A -

针脚数 2 3 2

漏源极电阻 0.041 Ω 0.045 Ω 0.065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 357 W 160 W 125 W

阈值电压 5 V 3 V 3 V

输入电容 2.90 nF 2.50 nF -

栅电荷 63.0 nC 75.0 nC -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

栅源击穿电压 200 V - -

连续漏极电流(Ids) 52.0 A 25.0 A, 40.0 A -

上升时间 175 ns 44 ns 15.7 ns

输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 1597pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 357 W 160 W 125 W

下降时间 29 ns 22 ns 8.8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 357 W 160W (Tc) 125W (Tc)

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - 200 V -

长度 9.98 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 10.16 mm 9.35 mm 9.35 mm

高度 4.572 mm 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -