FDB52N20TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB52N20TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 52.0 A
针脚数 2
漏源极电阻 0.041 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 357 W
阈值电压 5 V
输入电容 2.90 nF
栅电荷 63.0 nC
漏源极电压Vds 200 V
栅源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 52.0 A
上升时间 175 ns
输入电容Ciss 2900pF @25VVds
额定功率Max 357 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 357 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 9.98 mm
宽度 10.16 mm
高度 4.572 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDB52N20TM引脚图与封装图
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在线购买FDB52N20TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB52N20TM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB52N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FDB52N20TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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