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STB30NF20

STMICROELECTRONICS  STB30NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB30NF20, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


立创商城:
N沟道 200V 30A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 30 A, 0.065 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
STB30N 系列 N 沟道 200 V 30 A 75 mOhm 125 W 功率 Mosfet - D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK


STB30NF20中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 2

漏源极电阻 0.065 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 15.7 ns

输入电容Ciss 1597pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 8.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STB30NF20引脚图与封装图
STB30NF20引脚图

STB30NF20引脚图

STB30NF20封装图

STB30NF20封装图

STB30NF20封装焊盘图

STB30NF20封装焊盘图

在线购买STB30NF20
型号 制造商 描述 购买
STB30NF20 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STB30NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号STB30NF20
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STB30NF20

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel

当前型号

STMICROELECTRONICS  STB30NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: IRFS38N20DTRL

品牌: 国际整流器

封装:

类似代替

Trans MOSFET N-CH 200V 38A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

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型号: FDB52N20TM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-263AB N-Channel 200V 52A 41mohms 2.9nF

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB52N20TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 V

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品牌: 飞兆/仙童

封装: D2PAK N-Channel 200V 31A 75mohms 3.9nF

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB34N20LTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 2 V

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