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IPW90R500C3FKSA1、IPW90R500C3XKSA1、STW12NK90Z对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPW90R500C3FKSA1 IPW90R500C3XKSA1 STW12NK90Z

描述 INFINEON  IPW90R500C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STW12NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 中高压MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-247-3 TO-247 TO-247-3

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.39 Ω 0.39 Ω 0.72 Ω

耗散功率 156 W 156 W 230 W

阈值电压 3 V 3 V 3.75 V

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) - - 900 V

额定电流 - - 11.0 A

额定功率 156 W - 230 W

极性 N-Channel - N-Channel

漏源击穿电压 - - 900 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A - 11.0 A

上升时间 20 ns - 20 ns

输入电容(Ciss) 1700pF @100V(Vds) - 3500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 230 W

下降时间 25 ns - 55 ns

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 156 W - 230W (Tc)

封装 TO-247-3 TO-247 TO-247-3

长度 16.13 mm - 15.75 mm

宽度 5.21 mm - 5.15 mm

高度 21.1 mm - 20.15 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99