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IPW90R500C3FKSA1

IPW90R500C3FKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPW90R500C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R500C3FKSA1, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装


得捷:
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3


贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6.8A; 156W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# INFINEON  IPW90R500C3FKSA1  Power MOSFET, N Channel, 11 A, 900 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3 / N-Channel 900 V 11A Tc 156W Tc Through Hole PG-TO247-3-1


IPW90R500C3FKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 156 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.39 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 156 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 1700pF @100VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 156 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Lighting, Power Management, 照明, 工业, Industrial, Consumer Electronics, 电源管理, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPW90R500C3FKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPW90R500C3FKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPW90R500C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPW90R500C3FKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPW90R500C3FKSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-247 N-Channel 900V 11A

当前型号

INFINEON  IPW90R500C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: IPW90R500C3XKSA1

品牌: 英飞凌

封装:

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IPW90R500C3FKSA1和IPW90R500C3XKSA1的区别