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L6386、L6386D013TR、L6386D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 L6386 L6386D013TR L6386D

描述 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVERMOSFET DRVR 600V 0.65A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 14Pin SOIC T/R高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 电源管理FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 PDIP-14 SOIC-14 SOIC-14

电源电压(DC) 17.0V (max) 17.0V (max) 17.0V (max)

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 750 mW 750 mW 750 mW

下降时间(Max) - 30 ns 30 ns

上升时间(Max) - 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -45 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

电源电压 - 17 V -

上升时间 50 ns - 50 ns

下降时间 30 ns - 30 ns

高度 - 1.65 mm -

封装 PDIP-14 SOIC-14 SOIC-14

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead