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CSD17501Q5A、IRFH5302DTRPBF、CSD17506Q5A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17501Q5A IRFH5302DTRPBF CSD17506Q5A

描述 30V , N通道NexFET功率MOSFET 30V, N-Channel NexFET Power MOSFETsMOSFET 30 V FETky(单片式FET及肖特基二极管) 100 A 2.5 mOhm 26 nC Qg PQFN30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Vgs 为 20V

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Infineon (英飞凌) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSON-FET-8 PowerVDFN-8 PowerTDFN-8

通道数 1 1 1

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 3.2 W 3.6W (Ta), 104W (Tc) 3.2 W

阈值电压 1.3 V - 1.3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 28A 29A 23A

上升时间 17 ns 30 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 2630pF @15V(Vds) 3635pF @25V(Vds) 1650pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 3.2 W - 3.2 W

下降时间 7.9 ns 12 ns 5.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 3.2W (Ta) 3.6W (Ta), 104W (Tc) 3.2W (Ta)

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.0032 Ω

额定功率 - 3.6 W -

封装 VSON-FET-8 PowerVDFN-8 PowerTDFN-8

长度 - - 6.1 mm

宽度 - 5 mm 5 mm

高度 - - 1.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -