STD10P6F6、STD10PF06、STD10PF06T4对比区别

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型号 STD10P6F6 STD10PF06 STD10PF06T4

描述 P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsP - 通道60V - 0.18欧姆 - 10A TO- 252的STripFET功率MOSFET P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 10A TO-252 STripFET POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD10PF06T4  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 1 - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.13 Ω 180 mΩ 0.18 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 35 W 40 W 40 W

阈值电压 4 V - 4 V

输入电容 340 pF - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 60.0 V 60 V

上升时间 5.3 ns 40 ns 40 ns

正向电压(Max) 1.1 V - -

输入电容(Ciss) 340pF @48V(Vds) - 850pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 35 W - 40 W

下降时间 3.7 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 35W (Tc) - 40W (Tc)

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 10.0 A 10.0 A

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -10.0 A

长度 6.6 mm 6.6 mm 6.6 mm

宽度 7.45 mm 6.2 mm 6.2 mm

高度 2.38 mm 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 175℃ (TJ) - 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC