PMZB370UNE
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NXP
恩智浦
分立器件
PMZB370UNE中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.37 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 360 mW
阈值电压 770 mV
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 0.9A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 SOT-883
外形尺寸
封装 SOT-883
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC版本 2015/12/17
PMZB370UNE引脚图与封装图
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在线购买PMZB370UNE
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMZB370UNE | NXP 恩智浦 | NXP PMZB370UNE 晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 30 V, 0.37 ohm, 4.5 V, 770 mV | 搜索库存 |
替代型号PMZB370UNE
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMZB370UNE 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT N-Channel 30V 0.9A | 当前型号 | NXP PMZB370UNE 晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 30 V, 0.37 ohm, 4.5 V, 770 mV | 当前型号 |
| 型号： DMN3730UFB-7 品牌： 美台 封装： DFN-3 N-Channel 30V 0.91A | 功能相似 | 30V,750mA,N沟道增强型MOSFET | PMZB370UNE和DMN3730UFB-7的区别 |
| 型号： DMN3730UFB4-7 品牌： 美台 封装： DFN-3 N-Channel 30V 0.91A | 功能相似 | 单 N-沟道 30 V 730 mOhm 1.6 nC 0.69 W 硅 表面贴装 Mosfet - XFDFN-3 | PMZB370UNE和DMN3730UFB4-7的区别 |