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BC817-40LT1G、BC850BMTF、BC817-40LT3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC817-40LT1G BC850BMTF BC817-40LT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC817-40LT1G.  双极晶体管NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon TransistorON SEMICONDUCTOR  BC817-40LT3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 300 MHz 100 MHz

额定功率 300 mW - -

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 0.31 W 225 mW

增益频宽积 100 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.1A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100mA, 1V 200 @2mA, 5V 250 @100mA, 1V

额定功率(Max) 300 mW 310 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 250 - 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 310 mW 300 mW

额定电压(DC) - 45.0 V -

额定电流 - 100 mA -

长度 2.9 mm 2.92 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 0.93 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99