频率 100 MHz
额定功率 300 mW
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 安全, 电源管理, 工业, Safety, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
BC817-40LT1G引脚图
BC817-40LT1G封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BC817-40LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BC817-40LT1G. 双极晶体管 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BC817-40LT1G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-23 NPN 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BC817-40LT1G. 双极晶体管 | 当前型号 | |
型号: BC817-40LT1 品牌: 安森美 封装: SOT-23 | 完全替代 | 通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon | BC817-40LT1G和BC817-40LT1的区别 | |
型号: BC817-40LT3 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN | 完全替代 | 通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon | BC817-40LT1G和BC817-40LT3的区别 | |
型号: BC817-40LT3G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC817-40LT3G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新 | BC817-40LT1G和BC817-40LT3G的区别 |