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BC817-40LT1G

BC817-40LT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  BC817-40LT1G.  双极晶体管

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

### ,On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BC817-40LT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定功率 300 mW

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 250

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 安全, 电源管理, 工业, Safety, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC817-40LT1G引脚图与封装图
BC817-40LT1G引脚图

BC817-40LT1G引脚图

BC817-40LT1G封装焊盘图

BC817-40LT1G封装焊盘图

在线购买BC817-40LT1G
型号 制造商 描述 购买
BC817-40LT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BC817-40LT1G.  双极晶体管 搜索库存
替代型号BC817-40LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC817-40LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 NPN 300mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BC817-40LT1G.  双极晶体管

当前型号

型号: BC817-40LT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23

完全替代

通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon

BC817-40LT1G和BC817-40LT1的区别

型号: BC817-40LT3

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN

完全替代

通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon

BC817-40LT1G和BC817-40LT3的区别

型号: BC817-40LT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BC817-40LT3G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新

BC817-40LT1G和BC817-40LT3G的区别