UCC27425DG4、UCC27425DR、UCC27325D对比区别
型号 UCC27425DG4 UCC27425DR UCC27325D
描述 双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With EnableMOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出，且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
上升/下降时间 20ns, 15ns 20ns, 15ns 20ns, 15ns
输出接口数 2 2 2
输出电流 4 A 4 A -
耗散功率 650 mW 650 mW 1.14 W
上升时间 40 ns 20 ns 40 ns
下降时间 40 ns 15 ns 40 ns
下降时间(Max) 40 ns 40 ns 40 ns
上升时间(Max) 40 ns 40 ns 40 ns
工作温度(Max) 105 ℃ 105 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 650 mW 650 mW 1140 mW
电源电压 4V ~ 15V 4V ~ 15V 4.5V ~ 15V
电源电压(Max) 15 V 15 V 15 V
电源电压(Min) 4 V 4 V 4 V
电源电压(DC) - - 4.00V (min)
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 4.9 mm
宽度 - - 3.91 mm
高度 - - 1.58 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99