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UCC27425DR

UCC27425DR

TI(德州仪器) 主动器件

双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable

Use the power driver from Texas Instruments for fast switching. This device has a maximum propagation delay time of 150 ns and a maximum power dissipation of 650 mW. Its maximum power dissipation is 650 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This device has a minimum operating supply voltage of 4 V and a maximum of 15 V. This gate driver has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 105 °C.

UCC27425DR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 20ns, 15ns

输出接口数 2

输出电流 4 A

耗散功率 650 mW

上升时间 20 ns

下降时间 15 ns

下降时间Max 40 ns

上升时间Max 40 ns

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 650 mW

电源电压 4V ~ 15V

电源电压Max 15 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

UCC27425DR引脚图与封装图
UCC27425DR引脚图

UCC27425DR引脚图

UCC27425DR封装图

UCC27425DR封装图

UCC27425DR封装焊盘图

UCC27425DR封装焊盘图

在线购买UCC27425DR
型号 制造商 描述 购买
UCC27425DR TI 德州仪器 双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable 搜索库存
替代型号UCC27425DR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： UCC27425DR

品牌： TI 德州仪器

封装： SOIC 8Pin

当前型号

双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable

当前型号

型号： UCC27425D

品牌： 德州仪器

封装： SOIC 4V 4A 8Pin

完全替代

TEXAS INSTRUMENTS  UCC27425D  驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, SOIC-8

UCC27425DR和UCC27425D的区别

型号： UCC27325D

品牌： 德州仪器

封装： 8SOIC 4V 8Pin

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品牌： 德州仪器

封装： SOIC-8 4V 8Pin

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