EMC5DXV5T1、EMC5DXV5T5、EMC5DXV5T1G对比区别

高亮显示差异参数

型号 EMC5DXV5T1 EMC5DXV5T5 EMC5DXV5T1G

描述 双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管 Dual Common Base-Collector Bias Resistor TransistorsON Semiconductor### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

封装 SOT-553-5 SOT-553 SOT-553-5

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 5 - 5

极性 NPN+PNP NPN+PNP NPN+PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

耗散功率 357 mW - 0.5 W

最小电流放大倍数(hFE) 80 - 20

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 357 mW - 500 mW

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

封装 SOT-553-5 SOT-553 SOT-553-5

长度 1.7 mm - 1.7 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.55 mm - 0.6 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99