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APT5025BN、STW19NM50N、IXTH24N50对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT5025BN STW19NM50N IXTH24N50

描述 TO-247 N-CH 500V 23AN 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsIXYS SEMICONDUCTOR  IXTH24N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 23A 14A 24.0 A

上升时间 27 ns 16 ns 33 ns

输入电容(Ciss) 2380pF @25V(Vds) 1000pF @50V(Vds) 4200pF @25V(Vds)

下降时间 36 ns 17 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 310000 mW 110W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 24.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 0.2 Ω 0.23 Ω

耗散功率 - 110 W 300 W

阈值电压 - 4 V 4 V

额定功率(Max) - 110 W 300 W

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 500 V -

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.75 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 20.15 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tube Bulk, Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

材质 - - Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)