APT5025BN
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
电子元器件分类
APT5025BN中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 23A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 2380pF @25VVds
下降时间 36 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
外形尺寸
封装 TO-247
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
APT5025BN引脚图与封装图
暂无图片
替代型号APT5025BN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT5025BN 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | TO-247 N-CH 500V 23A | 当前型号 |
| 型号： APT8075BN 品牌： 美高森美 封装： | 类似代替 | TO-247 N-CH 800V 13A | APT5025BN和APT8075BN的区别 |
| 型号： STW19NM50N 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 14A | 功能相似 | N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | APT5025BN和STW19NM50N的区别 |
| 型号： STW20NM50FD 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 20A 220mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW20NM50FD 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V | APT5025BN和STW20NM50FD的区别 |