FQD5N60CTM、FQD5N60CTM_F080、STD3LN62K3对比区别

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型号 FQD5N60CTM FQD5N60CTM_F080 STD3LN62K3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD5N60CTM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS  STD3LN62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 620 V, 2.5 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 49 W 2.5 W 45 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 620 V

连续漏极电流(Ids) 2.80 A 2.8A -

上升时间 42 ns 42 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 670pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds) 386pF @50V(Vds)

下降时间 46 ns 46 ns 27 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 49W (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) 45W (Tc)

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 5.00 A - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 2 Ω - 2.5 Ω

阈值电压 4 V - 3.75 V

额定功率(Max) 2.5 W - 45 W

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.6 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.2 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -