FQD5N60CTM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD5N60CTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 5.00 A
针脚数 3
漏源极电阻 2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 49 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 2.80 A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 670pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 46 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 49W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD5N60CTM引脚图与封装图
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在线购买FQD5N60CTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD5N60CTM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD5N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FQD5N60CTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD5N60CTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 600V 2.8A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD5N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： FQD5N60CTM_F080 品牌： 飞兆/仙童 封装： DPAK N-CH 600V 2.8A | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3Pin2+Tab DPAK T/R | FQD5N60CTM和FQD5N60CTM_F080的区别 |
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| 型号： STD3N62K3 品牌： 意法半导体 封装： TO-252-3 N-Channel 620V 2.7A | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQD5N60CTM和STD3N62K3的区别 |