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STD3LN62K3

STD3LN62K3

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STD3LN62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 620 V, 2.5 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STD3LN62K3, 2.5 A, Vds=620 V, 3引脚


贸泽:
MOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm SuperMESH3 3 Ohm RDS


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 620 V, 2.5 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 620V 2.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 620V 2.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
STD3LN62K3 系列 N 沟道 620 V 3 Ohm SuperMesh III 功率 Mosfet - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 620V 2.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 1.6A; 45W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 620V 2.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


力源芯城:
620V,2.5Ω,2.5A,N沟道功率MOSFET


STD3LN62K3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 620 V

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 386pF @50VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STD3LN62K3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STD3LN62K3 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD3LN62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 620 V, 2.5 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STD3LN62K3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD3LN62K3

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD3LN62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 620 V, 2.5 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号: STU3LN62K3

品牌: 意法半导体

封装: TO-251 N-Channel

完全替代

620V,2.5Ω,2.5A,N沟道功率MOSFET

STD3LN62K3和STU3LN62K3的区别

型号: FQD5N60CTM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 600V 2.8A

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD5N60CTM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V

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