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FQA24N50F、STD6N95K5、FDH44N50对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQA24N50F STD6N95K5 FDH44N50

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD6N95K5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 VON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH44N50, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-3-3 TO-252-3 TO-247-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 500 V - -

额定电流 24.0 A - -

漏源极电阻 200 mΩ 1 Ω 0.11 Ω

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 290W (Tc) 90 W 750 W

漏源极电压(Vds) 500 V 950 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 24.0 A 9A -

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 450pF @100V(Vds) 5335pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 290 W 90 W 750 W

耗散功率(Max) 290W (Tc) 90W (Tc) 750 W

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 4 V 3.15 V

上升时间 - 12 ns 84 ns

下降时间 - 21 ns 79 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

输入电容 - 450 pF -

封装 TO-3-3 TO-252-3 TO-247-3

长度 - - 15.87 mm

宽度 - - 4.82 mm

高度 - - 20.82 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -