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TIP32B、TIP32BG、TIP29C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP32B TIP32BG TIP29C

描述 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICONON SEMICONDUCTOR  TIP32BG.  射频双极晶体管STMICROELECTRONICS  TIP29C  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 30 W, 1 A, 75 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V 100 V

额定电流 -3.00 A -3.00 A 1.00 A

针脚数 - 3 3

极性 Dual P-Channel PNP, P-Channel NPN

耗散功率 40.0 W 40 W 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 15 @1A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 50 - 75

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) - 50 75

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 2000 mW

频率 - 3 MHz -

热阻 - 3.125℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 3A 3A -

长度 - 10.28 mm 10.4 mm

宽度 - 4.83 mm 4.6 mm

高度 - - 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/06/16

ECCN代码 EAR99 EAR99 -