TIP32B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -3.00 A
极性 Dual P-Channel
耗散功率 40.0 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V
最大电流放大倍数hFE 50
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
TIP32B引脚图与封装图
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在线购买TIP32B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TIP32B | ON Semiconductor 安森美 | 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | 搜索库存 |
替代型号TIP32B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TIP32B 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 Dual P-Channel -80V -3A 40W | 当前型号 | 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | 当前型号 |
| 型号： TIP32BG 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 PNP -80V -3A 2000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR TIP32BG. 射频双极晶体管 | TIP32B和TIP32BG的区别 |
| 型号： TIP29CG 品牌： 安森美 封装： TO-220 NPN 100V 1A 2000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR TIP29CG. 射频双极晶体管 | TIP32B和TIP29CG的区别 |