FDN5630、MMBF170LT3G、IRLML0060TRPBF对比区别

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型号 FDN5630 MMBF170LT3G IRLML0060TRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN5630  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 2.4 V0.5A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFETINFINEON  IRLML0060TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 1.70 A 500 mA -

通道数 1 1 -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.073 Ω 5 Ω 0.078 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 500 mW 225 mW 1.25 W

阈值电压 2.4 V - 2.5 V

输入电容 21.0 pF 60.0 pF 290 pF

栅电荷 7.00 nC - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 -60.0 V 60 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 1.70 A 500 mA 2.7A

上升时间 6 ns - 6.3 ns

输入电容(Ciss) 400pF @15V(Vds) 60pF @10V(Vds) 290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 460 mW 225 mW 1.25 W

下降时间 5 ns - 4.2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.5 W 225mW (Ta) 1.25W (Ta)

额定功率 - - 1.25 W

长度 2.92 mm 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 0.94 mm 0.94 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -