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FQPF11N40C、FQPF11N40T、STP11NK40ZFP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQPF11N40C FQPF11N40T STP11NK40ZFP

描述 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 400V 6.6A 3Pin(3+Tab) TO-220F RailN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - - 30 W

通道数 1 - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 530 mΩ - 0.55 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 44 W 50W (Tc) 30 W

阈值电压 - - 3.75 V

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

漏源击穿电压 400 V - 400 V

连续漏极电流(Ids) 10.5 A 6.6A 9.00 A

上升时间 89 ns - 20 ns

输入电容(Ciss) 1090pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds) 930pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 44 W 50 W 30 W

下降时间 81 ns - 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 44W (Tc) 50W (Tc) 30W (Tc)

额定电压(DC) 400 V - -

额定电流 10.5 A - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

长度 10.36 mm - 10.4 mm

宽度 4.9 mm - 4.6 mm

高度 16.07 mm - 9.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR