极性 N-CH
耗散功率 50W Tc
漏源极电压Vds 400 V
连续漏极电流Ids 6.6A
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
额定功率Max 50 W
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Rail
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FQPF11N40T | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 400V 6.6A 3Pin3+Tab TO-220F Rail | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: FQPF11N40T 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220F N-CH 400V 6.6A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 400V 6.6A 3Pin3+Tab TO-220F Rail | 当前型号 | |
型号: FQPF11N40C 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO220F N-Channel 400V 10.5A 430mohms | 类似代替 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | FQPF11N40T和FQPF11N40C的区别 | |
型号: IRFS740B 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO N-Channel 400V 10A 540mΩ | 类似代替 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | FQPF11N40T和IRFS740B的区别 | |
型号: 2SK2959-E 品牌: 瑞萨电子 封装: TO-220AB N-CH 30V 50A | 功能相似 | 硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | FQPF11N40T和2SK2959-E的区别 |