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FQPF11N40C

FQPF11N40C

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction PFC, and electronic lamp ballasts.

Features

• 10.5 A, 400 V, RDSon= 530 mΩMax. @ VGS= 10 V, ID= 5.25 A

• Low Gate Charge Typ. 28 nC

• Low Crss Typ. 85 pF

• 100% Avalanche Tested

FQPF11N40C中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 10.5 A

通道数 1

漏源极电阻 530 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 44 W

漏源极电压Vds 400 V

漏源击穿电压 400 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 10.5 A

上升时间 89 ns

输入电容Ciss 1090pF @25VVds

额定功率Max 44 W

下降时间 81 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 44W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.9 mm

高度 16.07 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQPF11N40C引脚图与封装图
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在线购买FQPF11N40C
型号 制造商 描述 购买
FQPF11N40C Fairchild 飞兆/仙童 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET 搜索库存
替代型号FQPF11N40C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQPF11N40C

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO220F N-Channel 400V 10.5A 430mohms

当前型号

400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET

当前型号

型号: IRFS740B

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO N-Channel 400V 10A 540mΩ

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品牌: 意法半导体

封装: TO-220FP N-Channel 400V 9A

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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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