额定电压DC 400 V
额定电流 10.5 A
通道数 1
漏源极电阻 530 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 44 W
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 10.5 A
上升时间 89 ns
输入电容Ciss 1090pF @25VVds
额定功率Max 44 W
下降时间 81 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 44W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQPF11N40C | Fairchild 飞兆/仙童 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQPF11N40C 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO220F N-Channel 400V 10.5A 430mohms | 当前型号 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | 当前型号 | |
型号: IRFS740B 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO N-Channel 400V 10A 540mΩ | 类似代替 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | FQPF11N40C和IRFS740B的区别 | |
型号: FQPF11N40T 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-220F N-CH 400V 6.6A | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 400V 6.6A 3Pin3+Tab TO-220F Rail | FQPF11N40C和FQPF11N40T的区别 | |
型号: STP11NK40ZFP 品牌: 意法半导体 封装: TO-220FP N-Channel 400V 9A | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | FQPF11N40C和STP11NK40ZFP的区别 |