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BZW06-33RL、P6SMB18CAT3G、BZW06-33对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZW06-33RL P6SMB18CAT3G BZW06-33

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 33V Unidirect600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,P6SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On SemiconductorTransil™ TVS 轴向单向 600W,STMicroelectronics### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 DO-15-2 DO-214AA DO-15

额定电压(DC) 33.0 V - 33.0 V

电容 - - 900 pF

额定功率 600 W - 600 W

击穿电压 37.1 V 17.1 V 37.1 V

电路数 - - 1

针脚数 - 2 2

耗散功率 600 W 3.00 W 600 W

钳位电压 69.7 V 25.2 V 69.7 V

测试电流 - 1 mA 1 mA

最大反向击穿电压 - 18.9 V 37.1 V

脉冲峰值功率 600 W 600 W 600 W

最小反向击穿电压 37.1 V 17.1 V 37.1 V

击穿电压 - 17.1 V 37.1 V

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

工作结温 - - 175 ℃

工作电压 33.3 V - -

最大反向电压(Vrrm) 33.3V 15.3V -

长度 6.75 mm 4.6 mm 6.75 mm

宽度 - 3.95 mm 3.53 mm

直径 3.53 mm - 3.53 mm

封装 DO-15-2 DO-214AA DO-15

高度 - 2.41 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -