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BZW06-33RL

BZW06-33RL

数据手册.pdf

ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 33V Unidirect

69.7V Clamp 57A 8/20µs Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 DO-204AC


得捷:
TVS DIODE 33.3VWM 69.7VC DO15


贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 33V Unidirect


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 33.3V 600W 2-Pin DO-15 T/R


BZW06-33RL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 33.0 V

工作电压 33.3 V

额定功率 600 W

击穿电压 37.1 V

耗散功率 600 W

钳位电压 69.7 V

最大反向电压(Vrrm) 33.3V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 37.1 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-15-2

外形尺寸

长度 6.75 mm

直径 3.53 mm

封装 DO-15-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BZW06-33RL引脚图与封装图
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在线购买BZW06-33RL
型号 制造商 描述 购买
BZW06-33RL ST Microelectronics 意法半导体 ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 33V Unidirect 搜索库存
替代型号BZW06-33RL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BZW06-33RL

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: DO-15 33V 600W

当前型号

ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 33V Unidirect

当前型号

型号: BZW06-33

品牌: 意法半导体

封装: DO-15 33V 600W

完全替代

Transil™ TVS 轴向单向 600W,STMicroelectronics### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronics

BZW06-33RL和BZW06-33的区别

型号: P6KE39ARL

品牌: 意法半导体

封装: DO-15

类似代替

Diode TVS Single Uni-Dir 33V 600W 2Pin DO-15 T/R

BZW06-33RL和P6KE39ARL的区别

型号: P6SMB18CAT3G

品牌: 安森美

封装: SMB

功能相似

600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,P6SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

BZW06-33RL和P6SMB18CAT3G的区别