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TLC27L2BID、TLC27L2BIDG4、TLC27L2BIDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC27L2BID TLC27L2BIDG4 TLC27L2BIDR

描述 路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSLinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 29 µA 29 µA 29 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 0.725 W 0.725 W 0.725 W

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K 1.10 µV/K 1.10 µV/K

带宽 85.0 kHz 85.0 kHz 85.0 kHz

转换速率 30.0 mV/μs 30.0 mV/μs 30.0 mV/μs

增益频宽积 110 kHz 0.085 MHz 110 kHz

输入补偿电压 235 µV 235 µV 235 µV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 0.7 pA

增益带宽 110 kHz - 110 kHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

输出电流 - - ≤30 mA

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free