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TLC27L2BIDR

TLC27L2BIDR

TI(德州仪器) 主动器件

LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments

低功率 LinCMOS


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLC27L2BIDR


德州仪器TI:
Dual, 16-V, 85-kHz, low power 10-μA/ch, 2-mV offset voltage, In to V- operational amplifier


欧时:
### 低功率 LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments


艾睿:
Op Amp Dual Precision Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Precision Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R


力源芯城:
微功耗,单电源CMOS,通用运放


DeviceMart:
IC OPAMP GP 110KHZ DUAL 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 110KHZ 8SOIC


TLC27L2BIDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤30 mA

供电电流 29 µA

电路数 2

通道数 2

耗散功率 0.725 W

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K

带宽 85.0 kHz

转换速率 30.0 mV/μs

增益频宽积 110 kHz

输入补偿电压 235 µV

输入偏置电流 0.7 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 110 kHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 65 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TLC27L2BIDR引脚图与封装图
TLC27L2BIDR引脚图

TLC27L2BIDR引脚图

TLC27L2BIDR封装图

TLC27L2BIDR封装图

TLC27L2BIDR封装焊盘图

TLC27L2BIDR封装焊盘图

在线购买TLC27L2BIDR
型号 制造商 描述 购买
TLC27L2BIDR TI 德州仪器 LinCMOS 运算放大器 ### 运算放大器,Texas Instruments 搜索库存
替代型号TLC27L2BIDR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TLC27L2BIDR

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 85kHz 2Channel 8Pin

当前型号

LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments

当前型号

型号: TLC27L2BID

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 8Pin 30mV/us 2Channel

完全替代

路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS

TLC27L2BIDR和TLC27L2BID的区别

型号: TLC27M2ACD

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 525kHz 2Channel 8Pin

类似代替

TEXAS INSTRUMENTS  TLC27M2ACD  运算放大器, 双路, 525 kHz, 2个放大器, 0.43 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚

TLC27L2BIDR和TLC27M2ACD的区别

型号: TLC271ACDR

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 320kHz 1Channel 8Pin

类似代替

路LinCMOS可编程低功耗TIONAL放大器 LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER TIONAL AMPLIFIERS

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