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BDX33D-S、TIP32C、BDX33BG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDX33D-S TIP32C BDX33BG

描述 TO-220 NPN 120V 10ASTMICROELECTRONICS  TIP32C  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 40 W, -3 A, 50 hFEON SEMICONDUCTOR  BDX33BG  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 70 W, 10 A, 750 hFE

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - -100 V 80.0 V

额定电流 - -3.00 A 10.0 A

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN, PNP, P-Channel NPN

耗散功率 - 40 W 70 W

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 100 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @3A, 3V 10 @3A, 4V 750 @3A, 3V

额定功率(Max) 2 W 2 W 70 W

直流电流增益(hFE) - 50 750

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 70000 mW

集电极最大允许电流 10A - 10A

最大电流放大倍数(hFE) - - 750 @3A, 3V

长度 - 10.4 mm 10.53 mm

宽度 - 4.6 mm 4.83 mm

高度 - 9.15 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

ECCN代码 - - EAR99