BDX33D-S

Bourns J.W. Miller 伯恩斯分立器件

TO-220 NPN 120V 10A

- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 120 V 10 A - 2 W 通孔 TO-220

得捷:
TRANS NPN DARL 120V 10A TO220

贸泽:
Darlington Transistors 120V 10A NPN

艾睿:
Trans Darlington NPN 120V 10A 3-Pin3+Tab TO-220

Verical:
Trans Darlington NPN 120V 10A 3-Pin3+Tab TO-220

BDX33D-S中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 750 @3A, 3V

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BDX33D-S引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
BDX33D-S	Bourns J.W. Miller 伯恩斯	TO-220 NPN 120V 10A	搜索库存

替代型号BDX33D-S

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BDX33D-S 品牌： Bourns J.W. Miller 伯恩斯封装： TO-220 NPN	当前型号	TO-220 NPN 120V 10A	当前型号
型号： BDX33CG 品牌：安森美封装： TO-220-3 NPN 100V 10A 70000mW	功能相似	ON SEMICONDUCTOR BDX33CG 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFE	BDX33D-S和BDX33CG的区别
型号： TIP112 品牌：意法半导体封装： TO-220 NPN 100V 2A 2000mW	功能相似	STMICROELECTRONICS TIP112. 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 100 V, 2 W, 2 A, 500 hFE	BDX33D-S和TIP112的区别
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