STB120N4F6、STB13NM60N、IRF2204SPBF对比区别

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型号 STB120N4F6 STB13NM60N IRF2204SPBF

描述 N 通道 STripFET™ F6，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 170A 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 170 A

通道数 1 - 1

漏源极电阻 4 mΩ 0.28 Ω 3.6 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 90 W 200 W

产品系列 - - IRF2204S

阈值电压 4 V 3 V 4 V

输入电容 - - 5890pF @25V

漏源极电压(Vds) 40 V 600 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 80A 11A 170 A

上升时间 70 ns 8 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 3850pF @25V(Vds) 790pF @50V(Vds) 5890pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 90 W 200 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

针脚数 - 3 -

下降时间 20 ns 10 ns -

耗散功率(Max) 110 W 90W (Tc) -

漏源击穿电压 40 V - -

长度 10.4 mm 10.75 mm 10.67 mm

高度 4.6 mm 4.6 mm 4.576 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

宽度 9.35 mm 10.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 - -