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STB13NM60N

STB13NM60N

数据手册.pdf

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

表面贴装型 N 通道 600 V 11A(Tc) 90W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK


立创商城:
STB13NM60N


欧时:
### N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
Use STMicroelectronics&s; STB13NM60N power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 90000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes mdmesh ii technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


富昌:
STB13NM60N 系列 N 沟道 600 V 0.36 Ohm MDmesh II 功率 MosFet - D2PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STB13NM60N  MOSFET Transistor, N Channel, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
600V,11A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK


STB13NM60N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.28 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 790pF @50VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STB13NM60N引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STB13NM60N ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STB13NM60N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STB13NM60N

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 650V 11A

当前型号

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

当前型号

型号: STB120N4F6

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3 N-CH 40V 80A

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品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-CH 200V 61A

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200V,0.019Ω,65A,N沟道功率MOSFET

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品牌: 意法半导体

封装: TO-263-3 N-Channel 14A

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