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2N7002K、MMBF170、2N7002K-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002K MMBF170 2N7002K-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002K  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF170  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 VVISHAY  2N7002K-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 2 Ω 5 Ω 2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 350 mW 300 mW 350 mW

阈值电压 2.5 V 2.1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 500 mA 190 mA

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 40pF @10V(Vds) 30pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350mW (Ta) 300mW (Ta) 0.35 W

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 500 mA -

通道数 1 1 -

输入电容 - 40.0 pF -

漏源击穿电压 - 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

额定功率(Max) 350 mW 300 mW -

长度 2.92 mm 2.92 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 1.2 mm 0.93 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -