针脚数 3
漏源极电阻 2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 190 mA
输入电容Ciss 30pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.35 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Portable Devices, Industrial, Signal Processing, Communications & Networking, Lighting, Imaging, Video & Vision
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N7002K-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY 2N7002K-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N7002K-T1-GE3 品牌： VISHAY 威世 封装： SOT-23-3 N-Channel 60V 190mA 2Ω | 当前型号 | 60V,0.3A,N沟道MOSFET | 当前型号 |
| 型号： 2N7002K-T1-E3 品牌： 威世 封装： SOT-23 N-Channel 60V 115mA 7.5Ω | 类似代替 | N沟道MOSFET 60V 300mA SOT-23 代码 7K 坚固 | 2N7002K-T1-GE3和2N7002K-T1-E3的区别 |
| 型号： 2N7002-T1-E3 品牌： 威世 封装： TO-236 N-Channel 60V 115mA 7.5Ω | 类似代替 | 60V,7.5Ω,0.115A,N沟道MOSFET | 2N7002K-T1-GE3和2N7002-T1-E3的区别 |
| 型号： 2N7002LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 60V 115mA 7.5ohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V | 2N7002K-T1-GE3和2N7002LT1G的区别 |
