MMBF170
数据手册.pdfFAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF170 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流Id Drain Current | 500MA 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | VGS = 10V, ID = 200mA RDS=1.5~5Ω 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage | 0.8~3v 耗散功率Pd Power dissipation | 300mw 描述与应用 Description & Applications | n沟道增强型场效应 ■高密度细胞设计低RDS上。 ■小信号电压控制开关。 ■坚固和可靠的。 ■高饱和电流的能力。
得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
欧时:
### 增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF170.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170 N沟道 60 V 5 Ohm 增强模式 场效应晶体管 - SOT-23
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF170 MOSFET Transistor, N Channel, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23