IRF3704SPBF、STB95N3LLH6对比区别
描述 N沟道 20V 77AN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) 20.0 V -
额定电流 77.0 A -
额定功率 90 W -
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 87 W 70 W
产品系列 IRF3704S -
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V
漏源击穿电压 20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 77.0 A 80A
上升时间 98.0 ns 91 ns
输入电容(Ciss) 1996pF @10V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 87 W -
漏源极电阻 - 0.0037 Ω
阈值电压 - 1 V
下降时间 - 23.4 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 70W (Tc)
封装 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.75 mm
宽度 - 10.4 mm
高度 - 4.6 mm
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 - 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99