额定电压DC 20.0 V
额定电流 77.0 A
额定功率 90 W
极性 N-Channel
耗散功率 87 W
产品系列 IRF3704S
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 77.0 A
上升时间 98.0 ns
输入电容Ciss 1996pF @10VVds
额定功率Max 87 W
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF3704SPBF | International Rectifier 国际整流器 | N沟道 20V 77A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF3704SPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-263-3 N-Channel 20V 77A | 当前型号 | N沟道 20V 77A | 当前型号 | |
型号: STB95N3LLH6 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 30V 80A | 功能相似 | N 通道 MOSFET,已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。 | IRF3704SPBF和STB95N3LLH6的区别 |