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BC859C,215、BC859C,235、BC859CLT1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC859C,215 BC859C,235 BC859CLT1

描述 NXP  BC859C,215  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 420 hFETO-236AB PNP 30V 0.1A通用晶体管 General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -100 mA

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 250 mW 250 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW 300 mW

频率 100 MHz - -

针脚数 3 - -

最大电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V - -

直流电流增益(hFE) 420 - -

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 - - 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -