BC859C,235
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NXP
恩智浦
分立器件
BC859C,235中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
BC859C,235引脚图与封装图
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在线购买BC859C,235
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC859C,235 | NXP 恩智浦 | TO-236AB PNP 30V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号BC859C,235
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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| 型号： BC859C 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 PNP 250mW | 类似代替 | NXP BC859C 单晶体管 双极, 通用, PNP, 30 V, 250 mW, 100 mA, 420 hFE | BC859C,235和BC859C的区别 |