频率 100 MHz
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 420
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management, Audio
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC859C,215 | NXP 恩智浦 | NXP BC859C,215 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 420 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC859C,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-23 PNP 250mW | 当前型号 | NXP BC859C,215 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 420 hFE | 当前型号 | |
型号: BC860C,215 品牌: 恩智浦 封装: TO23-6AB PNP 250mW | 类似代替 | NXP BC860C,215 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 420 hFE | BC859C,215和BC860C,215的区别 | |
型号: BC859C 品牌: Diotec Semiconductor 封装: | 类似代替 | Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W1/4W; SOT23 | BC859C,215和BC859C的区别 | |
型号: BC859C,235 品牌: 恩智浦 封装: TO-236-3 PNP 250mW | 类似代替 | TO-236AB PNP 30V 0.1A | BC859C,215和BC859C,235的区别 |