BSS138-7-F、BSS138_D87Z、BSS138LT1G对比区别

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型号 BSS138-7-F BSS138_D87Z BSS138LT1G

描述 N沟道增强型场效应晶体管低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出漏Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3Pin SOT-23 T/RON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 200 mA 220 mA 200 mA

额定功率 0.3 W - 0.225 W

通道数 1 - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 1.4 Ω 3.50 Ω 3.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 mW 0.36 W 225 mW

阈值电压 1.2 V - 1.5 V

输入电容 50.0 pF 27.0 pF 40pF @25V

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 200 mA 220 mA 200 mA

输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) 27pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW - 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 300mW (Ta) 360mW (Ta) 225 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

漏源击穿电压 - 50.0 V 50 V

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

栅电荷 - 2.40 nC -

上升时间 - 9 ns -

下降时间 - 7 ns -

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 1 mm - 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

军工级 Yes - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99