BSB012NE2LXIXUMA1、BSB012N03LX3 G、BSB012NE2LX对比区别

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型号 BSB012NE2LXIXUMA1 BSB012N03LX3 G BSB012NE2LX

描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSONN沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 MG-WDSON-2 MG-WDSON-2 MG-WDSON-2

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 57 W 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc)

阈值电压 1V ~ 2V - 1.2V ~ 2V

漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 37A - 37A

输入电容(Ciss) 5852pF @12V(Vds) 16900pF @15V(Vds) 4900pF @12V(Vds)

额定功率(Max) - 2.8 W 2.8 W

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 57W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc)

额定功率 57 W - -

通道数 1 1 -

漏源极电阻 1 mΩ - -

漏源击穿电压 25 V - -

上升时间 6.4 ns - -

下降时间 4.8 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

封装 MG-WDSON-2 MG-WDSON-2 MG-WDSON-2

长度 6.35 mm - -

宽度 5.05 mm 5.05 mm -

高度 0.7 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free