BSB012NE2LX
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSB012NE2LX中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.8W Ta, 57W Tc
阈值电压 1.2V ~ 2V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 37A
输入电容Ciss 4900pF @12VVds
额定功率Max 2.8 W
耗散功率Max 2.8W Ta, 57W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 MG-WDSON-2
外形尺寸
封装 MG-WDSON-2
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSB012NE2LX引脚图与封装图
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在线购买BSB012NE2LX
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSB012NE2LX | Infineon 英飞凌 | N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号BSB012NE2LX
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSB012NE2LX 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 3-WDSON N-CH 25V 37A | 当前型号 | N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： BSB012NE2LXIXUMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 25V 37A | 类似代替 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | BSB012NE2LX和BSB012NE2LXIXUMA1的区别 |
| 型号： FDMS2504SDC 品牌： 飞兆/仙童 封装： 8-PQFN N-Channel 25V 42A | 功能相似 | N沟道 25V 42A 49A | BSB012NE2LX和FDMS2504SDC的区别 |