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BSB012NE2LXIXUMA1

BSB012NE2LXIXUMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Description:

With the new OptiMOS™ 25V product family, sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications.

Available in halfbridge configuration power stage 5x6

 

Benefits:

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Save overall system costs by reducing the number of phases in multiphase converters
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Reduce power losses and increase efficiency for all load conditions
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Save space with smallest packages like CanPAK™, S3O8 or system in package solution
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Minimize EMI in the system making external snubber networks obsolete and the products easy to design-in
BSB012NE2LXIXUMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 57 W

通道数 1

漏源极电阻 1 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 57 W

阈值电压 1V ~ 2V

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

连续漏极电流Ids 37A

上升时间 6.4 ns

输入电容Ciss 5852pF @12VVds

下降时间 4.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta, 57W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 MG-WDSON-2

外形尺寸

长度 6.35 mm

宽度 5.05 mm

高度 0.7 mm

封装 MG-WDSON-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Mainboard, VRD/VRM, Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSB012NE2LXIXUMA1引脚图与封装图
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BSB012NE2LXIXUMA1 Infineon 英飞凌 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存
替代型号BSB012NE2LXIXUMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSB012NE2LXIXUMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-CH 25V 37A

当前型号

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

当前型号

型号: BSB012N03LX3 G

品牌: 英飞凌

封装: WDSON-2

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型号: BSB012NE2LX

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封装: 3-WDSON N-CH 25V 37A

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