FQD7P06TM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD7P06TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -5.40 A
漏源极电阻 450 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 5.40 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 295pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 28W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD7P06TM引脚图与封装图
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在线购买FQD7P06TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD7P06TM | Fairchild 飞兆/仙童 | P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FQD7P06TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD7P06TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 P-Channel 60V 5.4A 450mohms | 当前型号 | P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： STD10P6F6 品牌： 意法半导体 封装： DPAK P-Channel | 功能相似 | P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQD7P06TM和STD10P6F6的区别 |
| 型号： STD10PF06T4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 P-Channel 60V 10A 180mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD10PF06T4 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V | FQD7P06TM和STD10PF06T4的区别 |
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